北京集成电路硅片激光钻孔微小孔加工

200元2022-11-22 08:14:13
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产地 北京 分类 硅片切割
切割加工最小缝隙 0.05mm 加工厚度范围 0.1--2mm
加工方式 激光切割 品牌 HE
微信号 13011886131 服务范围 全国
硅片大小加工范围 300mm 联系人 张经理

北京集成电路硅片激光钻孔微小孔加工

硅片的分类:
硅片规格有多种分类方法,可以按照硅片直径:4寸、6寸、12寸、3英寸、2英寸;单晶生长方法:单晶硅片、多晶硅片;掺杂类型:N型、P型等参量和用途来划分种类。

1.激光切割、划片是非机械式的,属于非接触式加工,可以避免出现芯片破碎和其他损坏现象。
2.激光切割、划片采用的高光束质量的光纤激光器对芯片的电性影响较小,可以提高更高的切割成品率。
3.激光切割速度为150mm/s。切割速度较快。
4.激光可以切割厚度较薄的晶圆,可以胜任不同厚度的晶圆划片。
5.激光可以切割一些较为复杂的晶圆芯片,如六边形管芯等。
6.激光切割不需要去离子水,不存在刀具磨损问题,可连续24小时作业。
7.激光具有很好的兼容性,对于不同的晶圆片,激光切割具有更好的兼容性和通用性。

超薄硅片打孔是一项非常精细的工序,因为硅片较薄,打孔的时候不能损坏其表面的精度,打孔的密度、孔径大小需要达到一定的精度以及所要求的大小。
激光打孔是将光斑直径缩小到微米级,从而获得高的激光功率密度,几乎可以在任何材料实行激光打孔。其特点是可以在硬度高、质地脆或者软的材料上打孔,孔径小、加工速度快、效率高。
超薄硅片使用激光打孔可以打出小孔:1.00~3.00(mm);次小孔:0.40~1.00(mm);超小孔:0.1~0.40(mm);微孔:0.01~0.10(mm);

激光切割技术集光学、精密机械、电子技术和计算机技术于一体,于传统方法相比
1、加工速度快;2、窄切槽(20um-30um),晶圆利用率高;3、非接触式加工,适合薄基圆;4、自动化程度高,任意图形切割。目前激光切割技术可以应用于切割硅片、低k材料、发光二极管衬底、微机电系统和薄膜太阳能电池等光电及半导体材料。

晶圆(Wafer)是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片,由于其形状为圆形,故称为晶圆。晶圆是生产集成电路所用的载体,一般意义晶圆多指单晶硅圆片。
晶圆是最常用的半导体材料,按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格,近来发展出12英寸甚至研发更大规格(14英吋、15英吋、16英吋、……20英吋以上等)。

半导体晶圆片切割的非晶硅单晶硅多晶硅,半导体晶圆片切割,氮化镓,铜铟镓硒,碲化镉,等多种基材的精细切割钻孔,蚀刻,微结构,打标和改片切圆异形皆可,厚度-般不超过半导体晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种,然后慢慢拉出,形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨,抛光,切片后,形成硅晶圆片,也就是晶圆。国内晶圆生产线以 8英寸和 12 英寸为主。晶圆的主要加工方式承接0.05mm-2mm各种激光切割、开孔钻孔、划线、开槽、刻图形字体,各种透光材质都可做,价格优惠打孔厚度0.1mm-40mm最小孔径0.05mm最大孔径90mm尺寸公差 ≥±0.02mm。

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